Transistor bipolaires - BJT NPN Hi-Pwr Amp - (2N5303)

Fabricant: Central Semiconductor

Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT

RoHS: Non

Polarité du transistor: NPN

Collecteur - Tension de base VCBO: 80 V

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 80 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 2 V

Courant CC max. du collecteur: 20 A

Produit gain-bande passante fT : 2 MHz

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Style de montage: Through Hole

Package/Boîte: TO-3

Marque: Central Semiconductor

Courant de collecteur continu : 0.45 A

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40

Dissipation de puissance max.: 200 W

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Conditionnement: Tube

Série: 2N5303